锑化铟红外制冷探测器

InSb探测器是Ⅲ 一V族半导体材料，稳定性好，性能不随工作时间和存储时间发生变化。这些特性使得InSb探测器的成像系统调试完成后，在用户使用过程中不需要时常进行采样修正探测器的工作，在武器系统中不需要增加额外采样机构，使武器系统更加简单可靠。

由于InSb材料缺陷少(EPD<50／cm )而MCT材料缺陷较多(EPD<10 ／cm )，所以InSb探测器的暗电流较低，器件响应的线性度也较好，可以用于数较大的武器系统，F数大的红外探测器系统只能采用InSb探测器才能保证较好的灵敏度。这对武器系统非常重要，可以降低武器系统的光学口径，提高光学系统的焦距，从而探测距离更远。