锑化铟红外制冷探测器

 

InSb探测器是Ⅲ 一V族半导体材料,稳定性好,性能不随工作时间和存储时间发生变化。这些特性使得InSb探测器的成像系统调试完成后,在用户使用过程中不需要时常进行采样修正探测器的工作,在武器系统中不需要增加额外采样机构,使武器系统更加简单可靠。

由于InSb材料缺陷少(EPD<50/cm )而MCT材料缺陷较多(EPD<10 /cm ),所以InSb探测器的暗电流较低,器件响应的线性度也较好,可以用于数较大的武器系统,F数大的红外探测器系统只能采用InSb探测器才能保证较好的灵敏度。这对武器系统非常重要,可以降低武器系统的光学口径,提高光学系统的焦距,从而探测距离更远。